2nm工艺、HBM芯片都要搞 美国授予三星至多64亿美元建厂补贴

　　当地时间周一，美国商务部国家标准及技术研究所官网贴出声明，宣布与韩国三星电子达成一项初步协议，依据美国《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。

来源：NIST

　　作为全球唯一一家同时在存储芯片和逻辑芯片领域均处于领跑集团的公司，三星计划在未来几年内斥资超400亿美元，建立一整套半导体研发和生产生态。

　　新建2nm工艺、HBM芯片封装产能

　　根据三星与美国政府拟定的协议，韩国芯片巨头准备新建两座“世界领先的逻辑芯片厂”、一座研发中心和一个先进封装设施，同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。

　　根据NIST的公告，奥斯汀工厂的扩建将支持全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺技术的生产，将用于航空航天和国防等关键领域。这项拨款还包括三星与美国国防部合作的承诺。

　　新建设施则位于得州的泰勒市。三星将在那里打造一整个半导体研发-生产生态，包括一个致力于比当前工艺节点“先进一代”的研发厂、两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂。还有一座为高带宽内存进行3D封装，以及具备2.5D芯片封装能力的先进封装设施，这两项都是当下AI芯片急需的尖端产能。

　　公告指出，除了协议中提到的64亿美元直接拨款外，三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预期能够覆盖合规资本支出的25%。

　　据一名美国高级官员透露，通过这次补贴，三星将美国半导体工厂的投资额从170亿美元提高至近450亿美元。对于两家先进逻辑芯片工厂，一家计划于2026年投产，另一家与先进研发厂都将与2027年启用。这名官员还表示，已经有“两打供应商”表示将迁往美国，与三星半导体产业集群进行合作。

　　美国商务部长雷蒙多也在媒体吹风会上强调：“三星的一个先进逻辑芯片晶圆厂就有11个足球场那么大，现在他们要造两个。”

　　三大巨头都拿到钱了

　　随着三星周一拿到美国的芯片补贴，再加上上周拿到钱的台积电，以及3月底拿到拨款的美国本土公司英特尔，海外三大先进芯片制造巨头都已经拿到补贴。此前由于补贴迟迟不到位，多家公司都传出过延期或缩减投资规模的传闻。

　　其中虽然三星拿到的补贴金额最低，但按照投资比例来看，却是最高的一家。台积电拿到《芯片法案》的66亿美元补贴，公司准备在亚利桑那州凤凰城投资650亿美元设立三家芯片工厂;英特尔拿到85亿美元，公司计划未来五年内在美国投资超1000亿美元。

　　与台积电和英特尔不同，美国政府在公告中没有提给予三星优惠贷款政策。不过韩国巨头手里也有着庞大的现金储备，截至12月底公司财报上的现金和可变现资产达到69.1万亿韩元(近500亿美元)。

　　《芯片法案》里的建厂补贴总共有390亿美元，这三家公司拿到的215亿美元占到总额的近55%。

　　顺便一提，全球排名第四的晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)也在2月拿到15亿美元的美国建厂补贴。这部分属于美国对成熟制程工艺扩产的补贴，Microchip科技、BAE系统公司也拿到了类似的款项。

　　按照美国商务部的说法，在上世纪90年代时，美国本土的芯片产量占全球的三分之一以上，到2020年只剩下12%。伴随着《芯片法案》的投资，美国希望到2030年，能够占到全球最先进逻辑芯片产能的20%。

　　在白宫发布的声明中，拜登总统表示，通过这项投资协议，三星的先进半导体制造和研发将进入得州，为当地创造至少2.15万个就业机会。这些设施将支持生产全世界最强大的一些芯片，对人工智能等先进技术至关重要。

来源：白宫

　　对于三星加大在美投资，首尔Eugene投资&证券公司的研究主管Lee Seung-woo表示，三星近期暂停了在平泽市的芯片工厂建设，这表明公司现在将重点放在美国市场，而不是韩国本土。